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5G時(shí)代，G.654系列新型光纖會(huì)是大勢(shì)所趨嗎？

0G.654光纖G.654光纖具有有效面積大、衰減低和非線性系數(shù)低的特點(diǎn)，可有效改善光傳輸指標(biāo)，增大復(fù)用段長(zhǎng)度，避免干線網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的大規(guī)模改動(dòng)，從而降低陸地傳輸系統(tǒng)的建設(shè)成本。目前，對(duì)于G.654.E光纖的使用，在我國(guó)的長(zhǎng)途干線領(lǐng)域已經(jīng)投入實(shí)際應(yīng)用，與G.652光纖相比，兩者熔接效果有著顯著的差別。相對(duì)G.652D光纖而言，G.654E光纖具備優(yōu)異的光學(xué)性能。表6是中國(guó)聯(lián)通攜手國(guó)內(nèi)外主流光纖光纜供應(yīng)商開展了G.654E光纖的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)主要結(jié)論。

對(duì)于通信運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)，網(wǎng)絡(luò)增量和高速化是首要課題，目前運(yùn)營(yíng)商主干線網(wǎng)主要使用100G的傳輸系統(tǒng)，為了滿足5G時(shí)代帶來(lái)的流量需求，業(yè)界認(rèn)為有必要導(dǎo)入400G傳輸系統(tǒng)。目前，通信運(yùn)營(yíng)商面對(duì)高速度低功耗低時(shí)延的5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求，開始認(rèn)識(shí)到導(dǎo)入400G傳輸系統(tǒng)的話將有必要導(dǎo)入新型光纖，如G654E光纖。

G654E光纖有何不同呢？以G654E光纖和G652D光纖為例做作對(duì)比如下：

 
第一：G654E光纖的制作方法和G652D有區(qū)別一般情況下，G652D光纖的纖芯部分要摻鍺，把光封閉在纖芯里面(不漏光到涂覆層)，使光進(jìn)行全反射的一個(gè)構(gòu)造。而G654E光纖的纖芯部分是用純石英玻璃制作的，因?yàn)槭羌兪⒉馁|(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)超低損耗。

第二：G654E的Aeff(有效面積)大于G652D通常，G652D光纖的Aeff在80um2左右，但是G654E的Aeff規(guī)格在110～130um2。因此，G654E可以稱之為與以往光纖特性不同的光纖。
那么，下面我們使用藤友光纖熔接機(jī)V9來(lái)進(jìn)行G.654.E光纖和不同普通光纖熔接，看一下光纖熔接有何區(qū)別。
在進(jìn)行G.654.E光纖熔接時(shí)，與一般的光纖熔接主要存在兩方面的差別：一是熔接影像上，二是熔接損耗和效果上。
觀察一下影像上的區(qū)別，以下光纖熔接的圖片都來(lái)自藤友光纖熔接機(jī)V9。
正是因?yàn)楣饫w的折射，還有纖芯和包層折射率的不同，造成了光纖影像明暗不同的變化。
因此，當(dāng)G.652.D-G.654.E混接時(shí)，在熔接點(diǎn)附近出現(xiàn)垂直于纖芯的“黑線”;而當(dāng)G654E-G654E自熔時(shí)，在熔接點(diǎn)附近出現(xiàn)垂直于纖芯的“白線”。出現(xiàn)以上兩種是由于G.654.E光纖包層里摻入了氟元素導(dǎo)致的，因此兩者可視為正?，F(xiàn)象，不會(huì)影響熔接后的光學(xué)、機(jī)械性能，無(wú)需進(jìn)行重復(fù)熔接操作。