死區(qū)技術(shù)指標(biāo)
如圖 1 所示，衰減死區(qū) (ADZ) 定義為（通常為單個(gè)“良好”連接器反射事件）脈沖上升沿到直接擬合到反向散射的 0.5 dB 偏差之間的距離。反向散射水平是曲線上提供光纖衰減值的斜線。此死區(qū)技術(shù)指標(biāo)通常是在最佳條件下給出的，例如最短脈沖寬度和最佳連接器反射。ADZ 技術(shù)指標(biāo)的目的是說明在連接器后多少距離能夠準(zhǔn)確地測(cè)量損耗，根據(jù)此定義，可與前一連接器串連一根死區(qū)長(zhǎng)度的跳接線以測(cè)量損耗。但實(shí)際上可能并不是這樣。

在圖 2 中，事件死區(qū) (EDZ) 定義為（通常為單個(gè)“良好”連接器反射事件）兩個(gè)在反射峰以下 1.5 dB 的光標(biāo)之間的距離。這代表了線性域中的半高全寬脈沖寬度。同樣，此死區(qū)技術(shù)指標(biāo)通常是在最佳條件下給出的，即最短脈沖寬度和最佳連接器反射。EDZ 技術(shù)指標(biāo)的目的是說明在連接器后多少距離能夠準(zhǔn)確地測(cè)量長(zhǎng)度。根據(jù)此定義，可與前一連接器串連一根死區(qū)長(zhǎng)度的跳接線以測(cè)量長(zhǎng)度。通常僅當(dāng)兩個(gè)連接器均滿足設(shè)置 EDZ 的條件（即 -45 dB 反射）時(shí)才會(huì)是這種情況。任一連接器反射發(fā)生變化時(shí)，定義不再有效，死區(qū)增加。

兩種類型的死區(qū)通常均在一個(gè)高質(zhì)量連接器上進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于單模的情況，可以使用 -52 dB 反射的連接器進(jìn)行測(cè)量。在上圖中，“非飽和”表示低連接器反射，即在 OTDR 接收器中不會(huì)造成飽和和失真。反射高時(shí)，死區(qū)會(huì)因 APD 固有現(xiàn)象“拖尾”而增加。

客戶對(duì) OTDR 性能的預(yù)期可能與 OTDR 技術(shù)指標(biāo)不符。技術(shù)指標(biāo)有特定的條件，一般會(huì)在腳注上說明。深圳連訊達(dá)是專業(yè)從事福祿克儀器儀表的銷售400-688-2580。對(duì)于 OTDR，死區(qū)技術(shù)指標(biāo)應(yīng)僅限指定條件下的近端測(cè)量。死區(qū)相對(duì)測(cè)量長(zhǎng)度應(yīng)保持常數(shù)。死區(qū)是有限寬度發(fā)射脈沖的函數(shù)，隨著測(cè)量長(zhǎng)度的增加而變寬（較長(zhǎng)的長(zhǎng)度測(cè)量使用寬脈沖）。除稍后將討論的少數(shù)情況外，死區(qū)均隨反射增加。提供的技術(shù)指標(biāo)供用戶比較 OTDR 性能。但是死區(qū)指標(biāo)是為一個(gè)事件定義的，而不是作為網(wǎng)絡(luò)測(cè)試。較成熟的 OTDR 不僅顯示一條曲線和事件表，它們還提供所測(cè)光纖布線的圖形“映射”。映射最初是在內(nèi)建式 OTDR 中引入的，現(xiàn)在已被許多供應(yīng)商采用。映射信息是從用于生成事件表的相同分析中得出的，但顯示為更容易使用的示意圖。測(cè)量超近距離的連接器時(shí)，分析儀軟件會(huì)達(dá)到極限，特別是每個(gè)連接器有不同的反射時(shí)（即完好的連接器跟一個(gè)有劃痕的連接器）。

 

下面是一個(gè)事件死區(qū)示例。事件死區(qū)設(shè)置為 1 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個(gè)較長(zhǎng)的長(zhǎng)度中間有一根 1 米的跳接線。用戶希望 OTDR 定位并識(shí)別這個(gè) 1 米跳接線并盡量進(jìn)行損耗和反射測(cè)量。僅當(dāng)滿足技術(shù)指標(biāo)的條件時(shí)，OTDR 可以測(cè)量 1 米跳接線的長(zhǎng)度；兩個(gè)反射均必須在技術(shù)指標(biāo)腳注定義的范圍內(nèi)。請(qǐng)記住事件死區(qū)只定位反射峰，所以無(wú)法進(jìn)行損耗測(cè)量。在另一示例中，衰減死區(qū)聲明為 2 米。光纖網(wǎng)絡(luò)在兩個(gè)長(zhǎng)度中間有一根 2 米的跳接線。用戶希望能夠測(cè)量跳接線的損耗。如果每個(gè)反射之后都有足夠的反向散射，如圖所示，則 OTDR 將可以進(jìn)行測(cè)量。

在圖 3 中，識(shí)別了 1.94 米長(zhǎng)度的第一個(gè)連接器及位置、損耗和反射。因?yàn)閮蓚€(gè)連接器間距小，所以第一個(gè)脈沖之后的反向散射可能會(huì)有所限制。第二個(gè)脈沖可能會(huì)融合到第一個(gè)脈沖的反向散射中。這樣，測(cè)量的損耗是從第二個(gè)脈沖的反向散射到第一個(gè)脈沖前側(cè)的反向散射末端。因此，實(shí)際測(cè)量的是兩個(gè)脈沖的損耗。

在圖 4 中，1.94 米跳接線遠(yuǎn)端的第二個(gè)脈沖無(wú)法識(shí)別，被標(biāo)記為隱藏事件。這是因?yàn)榈诙€(gè)脈沖的開始被隱藏在第一個(gè)脈沖的反向散射中。因此無(wú)法對(duì)該事件進(jìn)行充分測(cè)量。

圖 5 顯示如果脈沖之間有足夠的距離，則可輕松測(cè)量?jī)蓚€(gè)反射處的連接器衰減。在這種情況下可以根據(jù) OTDR 技術(shù)指標(biāo)對(duì)衰減死區(qū)進(jìn)行驗(yàn)證。

另外，如果光纖網(wǎng)絡(luò)在兩根長(zhǎng)光纖中間有一根 2 米跳接線，則可能無(wú)法進(jìn)行可靠的測(cè)量，這是因?yàn)榈谝粋€(gè)連接器之后沒有足夠的反向散射（反射）進(jìn)行直線近似。圖 6 顯示了兩個(gè)緊挨著的連接器，可能正好是衰減死區(qū)技術(shù)指標(biāo)的長(zhǎng)度。熟練的 OTDR 用戶可能可以手動(dòng)測(cè)量?jī)蓚€(gè)脈沖的衰減死區(qū)。但分析軟件則可能使用從第一個(gè)脈沖開始到第二個(gè)脈沖結(jié)束的反射散射之差測(cè)量第一個(gè)連接器（脈沖）的損耗。 

如前文所述，死區(qū)通常隨反射的增加而增加，這在使用 InGaAs 光電二極管時(shí)尤為麻煩。而 Si 要好得多。下面兩圖的數(shù)據(jù)來自使用 Si APD 或 InGaAs APD 的兩個(gè) OTDR。InGaAs 數(shù)據(jù)雖然取自 1550 nm，但在任意波長(zhǎng)（包括 850 nm）的死區(qū)響應(yīng)類型都是一樣的。850 nm 和 1310 nm 使用了類似的脈沖寬度。

下面的數(shù)據(jù)顯示了使用 OTDR 中常用的 InGaAs 光電二極管時(shí)在 1550 nm 上死區(qū)和連接器之間的關(guān)系。圖 7 中的第一個(gè)圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器的值 (-45 dB)? 增加到高反射連接器（如臟連接器）時(shí)的 850 nm 事件死區(qū) (EDZ) 和衰減死區(qū) (ADZ)。數(shù)據(jù)顯示 EDZ 未受反射的影響。這是因?yàn)闇y(cè)量是在非飽和峰下執(zhí)行的。如果峰變飽和（即“平頂”），則 EDZ 會(huì)增加，但這與 OTDR 的設(shè)計(jì)有關(guān)。對(duì)于 ADZ，從 2 米到 2.75 米逐漸增加，但在 -26 dB 反射處有一個(gè)偏轉(zhuǎn)，且反射為 -25 dB 時(shí) ADZ 增加到 4.5 米。盡管在這個(gè)范圍上 ADZ 有增加，但仍比使用 InGaAs APD 時(shí) ADZ 的結(jié)果好得多，如圖 8 所示。

圖 8 顯示了在反射增加時(shí) InGaAs APD 的 1550 nm 死區(qū)性能。此圖形顯示了反射從典型 UPC 連接器 -51 dB? 增加到高反射連接器 -30 dB（如臟連接器）時(shí)的 EDZ 和 ADZ。EDZ 不受反射影響，但 ADZ 慢慢從 4.5 米增加到 5 米（在 15 dB 范圍），然后在 -30 dB 快速增加并達(dá)到超過 30 米 ADZ。ADZ 將隨著反射的增加繼續(xù)增加。除非為單模 OTDR 進(jìn)行了復(fù)雜的配置，否則使用 InGaAs APD 時(shí)它們都會(huì)受此現(xiàn)象的影響。

與用于 OTDR 的 InGaAs APD 相比，Si APD 在 850 nm 測(cè)量多模時(shí)可提供卓越的性能。Si APD 有更好的信噪比，可以對(duì)安裝的光纖布線使用窄脈沖詢問和分析。因連接器的高反射造成光過載時(shí)，Si APD 受到的拖尾影響要小得多。進(jìn)行光纖網(wǎng)絡(luò)測(cè)試時(shí)，高反射大概是 OTDR 最常見的問題。數(shù)據(jù)顯示部署了 Si APD 的 OTDR 與其他類型 OTDR 相比有更大性能優(yōu)勢(shì)，特別是在高分辨率應(yīng)用中。雖然高性能 OTDR 可能價(jià)格較高，但對(duì)于比較 OTDR 供應(yīng)商提供技術(shù)指標(biāo)的用戶來說，除非使用高反射進(jìn)行評(píng)估，否則無(wú)法明確看出是否使用了 Si APD。